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納米銀燒結(jié)方案
隨著新能源汽車放量，大功率IGBT器件廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、車載充電模塊；以及新能源功率模塊對工作溫度和可靠性的要求越來越高，催生SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體芯片的普及應(yīng)用，燒結(jié)銀工藝成為提升其封裝可靠性和性能的關(guān)鍵技術(shù)。
· 納米銀燒結(jié)工藝燒結(jié)體具有優(yōu)異的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性、高粘接強度和高穩(wěn)定性等特點，納米銀燒結(jié)工藝的模塊可長期在高溫環(huán)境下工作；
· 納米銀燒結(jié)工藝在芯片燒結(jié)層形成可靠的機械連接和電連接，有效降低熱阻和內(nèi)阻，整體提升模塊性能及可靠性；
· 燒結(jié)料為純銀材料，不含鉛，屬于環(huán)境友好型材料。
真空回流/甲酸共晶
· 提供固晶、共晶成套解決方案
· 支持多種混合氣體（N2、 N2/H2等）環(huán)境下共晶工藝
· 支持無助焊劑甲酸共晶工藝
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焊接裝聯(lián)
